Estos se refieren a la interfaz para conectar módulos de memoria RAM. La memoria está organizada en forma de bancos, con una o más ranuras que constituyen un banco. Cada banco tiene un canal dedicado al controlador de memoria.
DDR1
(MEMORIA DE TAZA DE TRASNFERENCIA)
Los módulos de memoria DDR-SDRAM son del mismo tamaño que los DIMM de SDRAM, pero con más conectores: 184 pines en lugar de los 168 de la SDRAM normal. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1Gb.
DDR2
(MEMORIA DE DOBLE TAZA DE TRANSFERENCIA)
SDRAM DDR2 es la segunda generación de SDRAM DDR.
DDR2 SDRAM DDR SDRAM mejora de la señalización y el uso diferencial más bajo voltajes para apoyar a la ejecución del ventajas sobre DDR SDRAM. Señalización diferencial requiere más contactos, por lo que el número de contactos en un módulo de memoria DDR SDRAM DIMM se elevó de 184 a 240.
DDR2 SDRAM DDR SDRAM mejora de la señalización y el uso diferencial más bajo voltajes para apoyar a la ejecución del ventajas sobre DDR SDRAM. Señalización diferencial requiere más contactos, por lo que el número de contactos en un módulo de memoria DDR SDRAM DIMM se elevó de 184 a 240.
DDR3
(Doublé Data Rate Synchronous Dynamic Tres Memoria de Acceso Aleatorio)
DDR3 SDRAM (Doublé Data Rate Synchronous Dynamic Tres Memoria de Acceso Aleatorio) es la tercera generación de SDRAM DDR
DDR3 SDRAM mejoro en varias maneras significativas:
Superior ancho de banda debido a la mayor tasa de reloj
La reducción de consumo de energía debido a la tecnología de fabricación de 90mm
Antes de la obtención de amortiguación se duplicó a 8 bits para aumentar el rendimiento.
DDR3 SDRAM mejoro en varias maneras significativas:
Superior ancho de banda debido a la mayor tasa de reloj
La reducción de consumo de energía debido a la tecnología de fabricación de 90mm
Antes de la obtención de amortiguación se duplicó a 8 bits para aumentar el rendimiento.
